Выходит, применяя другие свойства материальных объектов, субстрата, отличающиеся от свойств химического уровня, мы имеем выход энергии от данных молекул. В нашей исследовательской работе рассматриваются квантовый уровень материи и применение квантовых физико-химических свойств материальных объектов, стыковка квантового уровня с физико-химическим, применение туннельной эмиссии вырожденной плазмы, электронного газа в процессах каталитической обработки ракетных топлив, в энергетических устройствах, химической технологии, процессах воздухоочистки, космической технике, далее построение энергетического устройства (ЭУ) на основе применения данных, квантовых свойств материальных объектов и применение ЭУ в аэрокосмической промышленности, исследованиях космического пространства.
Физические свойства квантового уровня материальных объектов позволяют нам иметь положительный выход энергии от взаимодействия процессов, обусловленных свойствами данного уровня с химическими объектами, и, соответственно, низкомолекулярные неорганические соединения энергетически эффективны и могут быть использованы в качестве источника энергии.
Доказательство эффективности применения данных свойств материальных объектов в процессах выработки энергии следующее. Рассмотрим один из физических процессов, обусловленных свойствами квантового уровня материальных объектов, – туннельный эффект, преодоление квантовыми частицами энергетического барьера, носителем туннельного эффекта, то есть рабочее тело, материальный объект на физико-химическом уровне обозначен, полупроводник (см. лит. 3, 13).
Энергетическая трата в процессе катализа, применяя данный квантовый эффект, небольшая и позволяет нам разложить воду на составляющие – водород и кислород; далее, направив водород на сжигание, на выходе энергетического устройства мы можем иметь выход энергии, вероятно, больше, чем нами затрачено на разложение воды. Рассмотрим в качестве носителя эффекта арсенид галлия и далее аппаратную схему, применяемую для креации физико-химического процесса туннельного каталитического лизиса воды. Прежде всего нам необходим контакт туннельного эффекта с материальным объектом, для данного процесса применяем следующую аппаратную схему.
Так как нам необходим контакт туннельного эффекта с химической системой, мы применяем отличающийся от процесса в твердом теле, то есть контакта проводник-полупроводник, процесс туннельной эмиссии электронов (примеры электронной эмиссии на поверхность полупроводника – см. лит. 3, 13), выход электронной плазмы на поверхность твердого тела в результате преодоления квантовыми частицами энергетического барьера. Квантовой частицей, преодолевающей энергетический барьер, туннелирующей, в данной энергетической системе является электрон (лептон).