Применение квантового туннельного эффекта код - страница 26

Шрифт
Интервал


Выбор конструкционного материала корпуса ЭУ и стенок отсеков. Конструкционный материал корпуса ЭУ (плоской башни), то есть обечайки корпуса, эллиптических днищ, полусферических камер плазмокаталитической выработки водорода, расположенных сверху и снизу ЭУ, торцевого подопорного борта в стационарном варианте ЭУ, стенок внутренних отсеков ЭУ, то есть полуконических нижних частей камер выработки водорода, расположенных внутри корпуса ЭУ, стенок центральной камеры, расположения платформы генераторов СВЧ ЭМ поля, элементов (частей) камеры термоэмиссионного преобразователя тепловой энергии водорода в электрическую энергию, крепежных деталей платформы расположения генераторов СВЧ ЭМ поля, исходя из критериев соответствия характеристик материала техническим параметрам и условиям работы ЭУ, механическим, температурным и крионагрузкам.

Для корпуса ЭУ – титановый криосплав. Материал полусферических камер плазмокаталитической выработки водорода, устойчивый к воздействию крио и температур в интервале термолиза воды в тонкой пленке на вращаемом экране туннельном эмиттере электронной плазмы.

Выбор конструкционного материала тепловой и СВЧ изоляции камер СВЧ плазмокаталитической выработки водорода, термоэмиссионного преобразователя тепловой энергии горения водорода в электрическую энергию.

Теплопроводность титановых сплавов, конструкционных материалов корпуса ЭУ, полусферических камер СВЧ плазмокаталитической выработки водорода и нижних полуконических частей данных камер соответствует параметрам работы ЭУ, соответственно, прямое соприкосновение газовой смеси водорода с кислородом со стенками корпуса и внутренними частями ЭУ приведет к разогреву поверхностей. Исходя из этого, мы применяем соответствующий критериям безопасности термо- и СВЧ-изолирующий, защищающий стенки ЭУ от разогрева газовой смесью и СВЧ полем материал.

Глава одиннадцатая

Техническое обоснование применения квантовых генераторов ЭМ СВЧ поля в процессе туннельной электронной плазмы, катализатора процесса лизиса воды в тонкой пленке

СВЧ ЭМ излучение квантового генератора (мазера) в том числе отличается от поля, образуемого устройствами не квантовой страты.

Так как ЭМ поле квантового генератора когерентно, то взаимодействие излучения генератора с применяемым в ЭУ плазмокаталитического лизиса воды в тонкой пленке с туннельным ПК покрытием вращаемого экрана эмиттера электронной плазмы отличается от взаимодействия c СВЧ ЭМ полем, образуемым генераторами, не квантовыми в страте. Мы применяем когерентность СВЧ ЭМ поля генератора, так как выход плазмы, процесс туннельной эмиссии электронного газа на поверхность ПК выше во взаимодействии ПК туннельного покрытия эмиттера данным полем.