Между ними «располагается» вакуум, то есть пустая, другими словами, запрещенная зона и в спектре энергетических уровней, геометрически «область» пространства-времени, окружающая нуклоны ядер атомов кристаллов с вероятностью нахождения в ней лептонов намного меньше единицы.
Наиболее внешняя геометрически, в пространстве, общая для всего кристалла полупроводника, и исходя из этого надмолекулярная электронная оболочка в спектре энергетических уровней, согласно зонной теории строения твердых тел, изображается выше всего, заполнена электронным газом и соответствующему функционально электронному газу, образующим металлическую связь в кристаллах проводников, то есть физико-химические процессы на данном электронном уровне (уровнях) характеристически соответствуют металлической связи, и функционально данный уровень обеспечивает проводимость электричества. Но так как есть дополнительные параметры и зависимости, то проводимость в полупроводнике, энергетический уровень отличается от имеющей место в металле, проводнике электрического тока.
Имеют существенное значение форма и величина потенциального барьера. Первое: форма потенциального барьера, согласно зонной теории строения твердых тел, становится треугольной, так как под действием внешнего электромагнитного поля наблюдаем наклон энергетических зон, соответственно, вероятность туннельного перехода увеличивается, общая величина энергетического барьера определяется физико-химической структурой полупроводника, процессом делокализации в поле заряда ядер атомов кристалла электронного газа.
Далее рассмотрим процесс туннелирования, просачивания туннельной частицы сквозь потенциальный барьер, и энергию, затрачиваемую квантовой системой на данный процесс. Данный процесс обусловлен волновыми свойствами квантовых частиц, то есть делокализацией в пространстве (пространстве-времени), такой что частица находится и на более высоком энергетическом уровне, и, соответственно, волновая функция частицы соответствует своим значением данному более высокому уровню.
Энергии на данный процесс квантовой системой не затрачивается, так как переход обусловлен квантово-волновым характером самой частицы, а не энергетическим взаимодействием со сторонней единицей субстрата.
Делаем следующий вывод исходя из имеющихся у нас данных: управлять данной квантовой системой с целью выработки энергии, применяя туннельный эффект, возможно тремя методами.