B
>VIC
>II, где A-Sb; Bi; B-S, Se, Te; C-CL, Br, I. Кристаллы SbSI и SbSI
>xBr
>1-x – двуосные, обладают большим двойным преломлением, ниже температуры. Кюри Т
>с=22
>0С кристаллы SbSI принадлежат к классу mm2 и обладают ромбической симметрией. При фазовом превращении происходит исчезновение центра симметрии, следовательно, ниже точки перехода кристаллы SbSI становятся сегнетоэлектриками.
Фазовый переход при 22>0С был зарегистрирован впервые Фатуццо [5] при изменении температурной зависимости диэлектрической проницаемости. Кристаллы обладают ярко выраженными полупроводниковыми свойствами, их фотоэлектрические свойства хорошо изучены [1].
Измерения проводились для монокристаллов SbSI в сегнетоэлектрической фазе при температуре Т=133 К. Кристалл освещался плоско поляризованным светом с помощью ксеноновой лампы и монохроматора ЗМР. Измерялся стационарный фотовольтаический ток J по ранее описанному [1] методу. В соответствии с симметрией SbSI (точечная группа mm>2) при измерении J>z (z – направление спонтанной поляризации) и освещении кристалла в x и y направлениях ПОФТ не возникает. Выражение для фотовольтаического тока J>z при освещении в x и y направлениях, соответственно, имеет вид:
где I—интенсивность света, β—угол между плоскостью поляризация света и осью z. На рис.1 кривая 1 представляет экспериментальную угловую зависимость J>z (β) для λ=600 нм при освещении вдоль [100]. Из сравнения экспериментальных угловых зависимостей J>z (β) с (4) и (5) были оценены численные значения α>ιjκ или фотовольтаические коэффициенты
С учетом плеохроизма и анизотропии отражения света в SbSI [6] были получены следующие значения:
К>314∙10>—8; К>323∙10>—8; K>33 (2—3) ∙10>—8А∙см∙ (Вт)> -1. Таким образом, в SbSI фотовольтаические коэффициенты K>31, K>32, K>33 более чем на порядок превышают соответствующие коэффициенты в LiNbO>3: Fe.
Рис.1. Зависимость фотовольтаического тока J>z (1) при l = 600 нм и J>x (2) при l = 460 от ориентации плоскости поляризации света в SbSI.
Согласно (2), для SbSI компоненты фотовольтаического тока и являются пространственно-осциллирующими. Однако при освещении кристалла в области сильного поглощения в направлении осей x или y и при выполнении условия (3) вдоль поверхностей (100) и (010), соответственно, текут токи.
где β – угол между плоскостью поляризации света и осью