Все науки. №10, 2024. Международный научный журнал - страница 9

 и 10^>—6 единицы x, y

В результате смоделированных трёхмерных графиков можно наглядно проследить, что каждый из графиков гладкий и простейший, в отличие от предыдущих двух примеров, где участвовали легированные соединения теллурида кадмия и оксида кремния. В данном случае смоделирован кристаллический чистый кремний, что позволяет получать указанные графики, коррелирующие с действительностью.

Исходя из полученных результатов, были сформулированы 3 отдельно взятые модели по теллуриду кадмия, оксиду кремния и кристаллическому кремнию, при этом в каждом из случаев функции представлены в трёхмерном пространстве. Фактически, было бы логичным расположить каждую из функций друг за другом, создав одну единую модель полупроводникового элемента.

Так, в виде максимально дискретно представленного графика, моделирующий весь полупроводниковый элемент может быть представлен сборник всех на данный момент полученных трёхмерных графиков в различных комбинациях, что также соответствует различным комбинациям расположения слоёв полупроводникового элемента. При этом каждая из комбинаций может быть представлена посредством отдельных выборок, где отдельная роль отводиться 2 измерениям, а третья изменяется, соответствуя общей выборке в Табл. 2—4.

Таблица 1. Первая формулировка комплектов графиков

Таблица 2. Вторая формулировка комплектов графиков

Таблица 3. Вторая формулировка комплектов графиков

При этом каждая таблица может быть представлена в 2 масштабах 10^>—2, 10^>—3 в Рис. 20—22, при том же равная по виду с масштабов по 10^>—5 и 10^>—6.

Рис. 20. Первая форма соединённой трёхмерной диаграммы в 10^>—2 и 10^>—3

Рис. 21. Вторая форма соединённой трёхмерной диаграммы в 10^>—2 и 10^>—3

Рис. 22. Третья форма соединённой трёхмерной диаграммы в 10^>—2 и 10^>—3

В результате была получена дискретная общая форма организованного полупроводникового элемента, однако при организованном эмпирическом расчёте полученная вариация может быть представлена согласно детектируемым показателям. Так, зависимости спектрального характера при взаимодействии с внешним коронным разрядом показывают изменение Рис. 24, когда же изменение высоты в масштабе потенциального барьера, необходимого для преодоления электронами могут быть представлены согласно Рис. 23.

Рис. 23. Рост потенциального барьера электронов с наличие стороннего источника потенциального поля