Напряжение отсечки
Наш новый начальник отделения иногда заходил ко мне на участок и рассказывал, что на заводе «Элма» в Зеленограде придумали какой-то особый метод, который позволяет определять с высокой точностью разброс неоднородности полупроводниковых слоев для полевых транзисторов с барьером Шоттки.
У нас, как я уже отмечал, использовалось измерительное оборудование, изготавливаемое мелкими партиями или даже единичными образцами, потому было сыроватым.
Но начальник отделения, что называется, меня достал. И я стал думать и… придумал: как на плохом неточном оборудовании с высокой точностью определять неоднородность тонких (порядка 0,2 мкм), полупроводниковых слоев на изолированной подложке по площади пластины.
На нашем нестандартном оборудовании для измерения профиля концентрации в неоднородных эпитаксиальных слоях для ПТБШ на изолированной подложке можно хорошо видеть начало отсечки (аналогичное отсечке протеканию тока в активной области транзистора при прикладывании достаточного напряжения к затвору транзистора. При этом точность измерения самого напряжения можно достичь очень высокой.
Таким образом, измеряя напряжение отсечки полупроводниковой пластины по ее площади, получается высокая точность измерения неоднородности полупроводниковых слоев.
Забавно, когда я впервые приехал на завод «ЭЛМА» (как показывает поиск в Интернете, сейчас на этом замечательном в советское время заводе организован технопарк – сдаются помещения в аренду), оказалось, что начальник отделения что-то не понял – он радиофизик, может поэтому. Измерение неоднородности проводилось на этом заводе с помощью аналогового прибора для измерения профилей концентрации, просто чуть большей точности, чем наш «самодельный» – изготовленный отделением специального оборудования аналоговый прибор.