наблюдается нарушение адгезии конденсата с подложкой. В этой связи энергии облучения были меньше указанной величины.
Надо отметить, что эти энергии также меньше энергии расчетного значения поговой энергии плавления плёнок при лазерной обработке в наносекундном диапазоне, которая составляет 02Дж/см>2 [1].
В данной работе приведены исследования влияния лазерного отжига (ЛО) на кинетические свойства поликристаллических пленок Рb>0.8Sn>0.2Te, полученных на полиимидной и слюдяной подложках термовакуумной технологией при различных температурах конденсации [2]. Облучение проводили в режиме модулированной добротности промышленным лазером с рубиновым излучателем (l= 0,69 мкм, t>имп=50 нс). Плотность энергии в лазерном импульсе регулировали путем фокусировки светового пучка. Измерялись кинетические коэффициенты пленок от числа воздействия лазерного импульса. Одновременно изучались структура исходных и облученных пленок с помощью растровой электронной микроскопии.
Измерены проводимость s, концентрация носителей р>н и коэффициент термоэдс a в зависимости от числа лазерных импульсов пленок конденсированных при разных температурах подложки. Результаты проведенных исследований показали, что при повышении Т>с проводимость пленок s увеличивается, а коэффициент термоэдс a уменьшается. При воздействии лазерных импульсов в пленках наблюдается спад s и a.
Электронно-микроскопические исследования пленок показали, что при повышении Т>с от 300К до 600К размер кристаллитов увеличивается от (5—6) 10>2 до 10>4 >оА и в этих пленках с повышением Т>с наблюдается увеличение s и уменьшение a.
Заметные структурные изменения при ЛО наблюдались в пленках полученных на слюде при Тс=570К, т.е. при более высоких температурах конденсации. Здесь обнаруживается рост монокристальных фрагментов, размер которых во много раз превышал размеры кристаллитов в исходных необлученных конденсатах.
Процессами, ответственными за кристаллизационные явления, на наш взгляд, являются частичное плавление конденсатов при лазерном облучении (частичное, так как энергия в импульсе меньше порога плавления) и ударная кристаллизация (ускоренная кристаллизация в твердой фазе).
Приведён характер изменения концентрации дырок в пленках Вi>2Sb>xTe>3 при g-облучение (источник Со>60, интенсивность 10>3Р/с) в свежеосажденных плёнках и плёнке, предварительно отожженной на воздухе при 420 К в течении 3 часов, у которой концентрация дырок до отжига совпадала с исходной концентрацией дырок.