Были отмечены следующие закономерности:
1. В образцах с исходными значениями концентрации дырок р ~ 8 10>18см>-3, g – облучение приводит к их монотоннному увеличению с выходом при Ф>g> 10>8Р на насыщение (кривая 1); при 10>19
>19 см>-3 концентрация дырок при облучении уменьшается. При Ф>g»10>8 Р наблюдается незначительное увеличение и в дальнейшем принимает постоянное значение (кривая 2). Постоянному значению в обоих случаях соответствует одна и та же концентрация дырок р» 9 х 10>18 см>-3 (штриховая линия на рисунке).
2. При р> 5х10>19 см>-3 с ростом Ф>g наблюдается уменьшение концентрации со снижением интенсивности процесса по мере увеличения Ф>g (кривая 3); в таких же плёнках после термоотжига, приводящего к уменьшению концентрации, процесс снижения концентрации с ростом Ф>g также замедляется.
Для объяснения наблюдаемых явлений необходимо принять следующее. В технологических режимах, обеспечивающих высокую концентрацию дырок, наряду с антиструктурными дефектами в плёнках образуются вакансии теллура [3]. При g-облучении за изменения в концентрации дырок ответственны два прцесса:
а) радиационно-стимулированная диффузия антиструктурных атомов по вакансаниям с вытеснением последних на стоки – границы кристаллитов и дислокации;
б) вытеснение атомов теллура в междоузлия.
Интенсивность первого процесса пропорциональна концентрации вакансий и энергетически выгодней относительно второго процесса. Первый процесс сопровождается уменьшением числа акцепторов, а второй – увеличением, поэтому в зависимости от исходной концентрации вакансий теллура в плёнках и возможны два типа изменений в концентрации дырок при g-облучение, что наблюдается экспериментально. Выход зависимости р (Ф>g) на насыщение соответствует установлению равновесия в протекании обоих процессов.
Список использованной литературы
1. К.Э.Онаркулов, М.М.Ахмедов, Д.А.Юсупова, Р. Т. Расулов, Б. Дулиев Кинетические процессы в тонких пленках халькогенидов висмута и свинца под воздействием g- и лазерного облучения. Узбекский физический журнал, V 4, №2, 2002 г. C. 113—116
2. С.Х.Шамирзаев, Д.А.Юсупова. Исследование электрофизических свойств поликристаллических плёнок теллуридов висмута-сурьмы, содержащих наногранулыю Хозирги замон физикасининг долзарб муаммолари. Республика илмий конференцияси материаллари тўплами Термиз 1- май, 2013 й.45—46 б.