Все науки. №10, 2024. Международный научный журнал - страница 5
В результате образованные общие виды функции могут быть приведены к единичной форме, на момент, когда введённые три константы могут получить значения, используя заданные в (14) значения в качестве граничных условий в (16).
После подстановки значений независимых постоянных может быть сформирован результирующий вид функции относительно каждого из измерений (17).
Каждая из функций могут быть смоделированы в виде трёхмерной диаграммы, которая изменяет форму при различных значениях измерений, так в масштабе 10>—2 и 10>—3 относительно x, y или a, b они представляются в форме (Рис. 1—3), но на момент 10>—5 и 10>—6 в этой же форме аналитический вид представления потенциалов становиться дискретным (Рис. 4—6).
Рис. 1. Первый вид графика функции при (x, y) в масштабе 10>—2, 10>—3
Рис. 2. Второй вид графика функции при (y, z) в масштабе 10>—2, 10>—3
Рис. 3. Третий вид графика функции при (x, z) в масштабе 10>—2, 10>—3
Рис. 4. Первый вид графика функции при (x, y) в масштабе 10>—5, 10>—6
Рис. 5. Второй вид графика функции при (y, z) в масштабе 10—5, 10—6
Важным примечанием к трёхмерных графикам будет также важность определения именно закона, который они демонстрируют, в отличие от представляемых показателей в непосредственной форме. Таким образом были сформулированы граничные условия теллурида кадмия в различных масштабах.
3. Оксид кремния
Следующей стадией анализа будет аналогичное рассмотрение ситуации с кристаллическим кремнием. При создании полупроводникового элемента на момент контакта теллурида кадмия и кристаллического кремния переход электронов через слой оксида кремния позволяют устанавливать взаимодействие между элементами полупроводникового элемента, в том числе для направления дополнительного потенциала. Однако, для моделирования ситуации перехода, необходимо обратить внимание на электронную конфигурацию кристаллического кремния (18)
Из представленной формулировки наглядно видно, что на внешней орбитали не достаёт 4 электронов или имеется в наличии 4 дырки. Такое же моделирование может быть произведено относительно соединения оксида кремния (19).
В полученной молекуле оксида в силу того, что имеется 2 атома кислорода и единственный атом кремния, в установленном соединении имеется 2 дополнительные дырки, что превращает оксид кремния в положительный полупроводниковый элемент. В результате создаётся картина, где теллурид кадмия – элемент, насыщенный свободными электронами, оксид кремния – свободными дыркам и кристаллический кремний – вновь свободными электронами. Полученное соединение представляет полупроводниковый элемент вида n-p-n, где между каждым из элементов образуется взаимодействие.